前言：前年興起的氮化鎵充電產(chǎn)品，到今年已經(jīng)變成紅海了。相比其他廠商在紅海里面打得水深火熱，某些廠商已開啟另一條賽道。專門為60W以下輸出功率的充電頭打造了Super Si超級硅快充充電器，那么超級硅快充充電器到底有哪些優(yōu)勢和不足呢？

由于這兩年很多廠商對于氮化鎵的大力宣傳，目前消費者對于氮化鎵接受程度較高。其實，氮化鎵出現(xiàn)的原因主要是因為：采用傳統(tǒng)硅基芯片的充電器，由于轉(zhuǎn)化效率不高，發(fā)熱量大。在以前那個充電器功率普遍為5V 1A的時代，這個缺點并不明顯。但現(xiàn)如今各類的設備動輒30W、60W的功率，甚至已經(jīng)有手機的充電功率達到了120W，要實現(xiàn)如此大功率的輸出，傳統(tǒng)的硅基芯片不得不將體積和質(zhì)量做大。但一個充電頭又大又重，消費者就接受不了了。為了解決攜帶問題，就出現(xiàn)了氮化鎵。

和解數(shù)學題一樣，正確答案只有一個，但解題的方法不止一個。除了氮化鎵，其實優(yōu)化過后的硅基半導體材料一樣可以解決，比如采用超級硅材料的充電頭。超級硅材料能把超級硅MOSFET開關(guān)性能推向極致，達到1MHz以上的開關(guān)頻率，和氮化鎵器件處于同一數(shù)量級。在動態(tài)電阻、熱阻、可靠性等方面甚至優(yōu)于氮化鎵。

最重要的是超級硅系列采用成熟的硅基材料，與氮化鎵GaN特殊的材料和生產(chǎn)工藝相比，超級硅快充具有巨大的成本優(yōu)勢。器件成本大概為同等規(guī)格氮化鎵GaN器件25-50%，同時驅(qū)動超級硅功率器件的控制芯片可選擇性廣泛，更避免了GaN復雜的設計導致額外系統(tǒng)成本的增加。

當然氮化鎵GaN在更高功率65W、90W甚至更高的120W的表現(xiàn)比超級硅優(yōu)勢明顯。但對于60W以下的中低功率電子設備超級硅擁有同樣的電氣表現(xiàn)，價格更親民。相較于隨便超過100元售價的氮化鎵產(chǎn)品，超級硅快充的價格更低，超級硅快充充電器的性價比就顯現(xiàn)出來了。

總結(jié)：超級硅定位于中等功率的快充，相較于同功率下氮化鎵芯片以及傳統(tǒng)硅基充電芯片，其在各方面都有更大的優(yōu)勢，但局限于60W以下，功率小的充電器沒有必要，功率大的充電器氮化鎵更有優(yōu)勢，是中等功率充電器最佳性價比選擇。